AP2309AGN
MOSFET
P-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
5.400 A
RDSon
0.0550 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.055 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2309AGN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2309AGN?
Los reemplazos compatibles para el AP2309AGN incluyen: AP10P10GH, AP2301N, AP2305GN, AP4953M, AP9435GG, AP9435GK, AP9435K, AP9563M.
¿Que tipo de transistor es el AP2309AGN?
El AP2309AGN es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2309AGN?
El AP2309AGN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.400 A.