AP2310GG

MOSFET N-Channel SOT89

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 8.700 A
RDSon 0.0760 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT89
tr - Rise Time 10 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 120 pF
|Id| - Maximum Drain Current 8.7 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.076 typ Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2310GG:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2310GG?

Los reemplazos compatibles para el AP2310GG incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO4468, AP2300GN, AP2306AGN, y 3 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP2310GG?

El AP2310GG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT89.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2310GG?

El AP2310GG tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.700 A.

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