AP2312GN

MOSFET N-Channel SOT23

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 4.300 A
RDSon 0.0360 Ω
Vgs Max. 12.000 V
Potencia Max. 1.380 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
tr - Rise Time 9 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 75 pF
|Id| - Maximum Drain Current 4.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 1.38 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 12 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.036 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2312GN:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2312GN?

Los reemplazos compatibles para el AP2312GN incluyen: 2SK711, AP2309GN-HF, AP2310AGN-HF, AP2310CGN-HF, AP2310GG-HF, AP2310GK-HF, AP2310GN-HF, AP2311GK-HF, AP2311GN-HF, AP2313GN-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP2312GN?

El AP2312GN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2312GN?

El AP2312GN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.300 A.

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