AP2312GN
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
4.300 A
RDSon
0.0360 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.380 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 75 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.036 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2312GN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2312GN?
Los reemplazos compatibles para el AP2312GN incluyen: 2SK711, AP2309GN-HF, AP2310AGN-HF, AP2310CGN-HF, AP2310GG-HF, AP2310GK-HF, AP2310GN-HF, AP2311GK-HF, AP2311GN-HF, AP2313GN-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2312GN?
El AP2312GN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2312GN?
El AP2312GN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.300 A.
