AP2317GN-HF

MOSFET P-Channel SOT23

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 4.200 A
RDSon 0.0520 Ω
Vgs Max. 8.000 V
Potencia Max. 1.380 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
tr - Rise Time 18 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 120 pF
|Id| - Maximum Drain Current 4.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 1.38 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 8 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.052 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2317GN-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2317GN-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2317GN-HF incluyen: 2SK711, AP2310GN-HF, AP2311GK-HF, AP2311GN-HF, AP2312GN, AP2313GN-HF, AP2314GN-HF, AP2315GEN, AP2316GN-HF, AP2318AGEN-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP2317GN-HF?

El AP2317GN-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2317GN-HF?

El AP2317GN-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.200 A.

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