AP2319GN-HF

MOSFET P-Channel SOT23

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 3.100 A
RDSon 0.0900 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 1.380 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
tr - Rise Time 9 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 60 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3.1 A
Pd - Maximum Power Dissipation 1.38 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.09 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2319GN-HF:

AP2313GN-HF MOSFET P-Channel AP2315GEN MOSFET P-Channel AP2317GN-HF MOSFET P-Channel AP2321GN-HF MOSFET P-Channel AP2323GN-HF MOSFET P-Channel AP2325GEN-HF MOSFET P-Channel AP2327GN-HF MOSFET P-Channel AP2329GN-HF MOSFET P-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2319GN-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2319GN-HF incluyen: AP2313GN-HF, AP2315GEN, AP2317GN-HF, AP2321GN-HF, AP2323GN-HF, AP2325GEN-HF, AP2327GN-HF, AP2329GN-HF.

¿Que tipo de transistor es el AP2319GN-HF?

El AP2319GN-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2319GN-HF?

El AP2319GN-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.100 A.

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