AP2322GN
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
2.500 A
RDSon
0.0900 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.833 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 55 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.833 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.09 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2322GN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2322GN?
Los reemplazos compatibles para el AP2322GN incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4406, AO4408, AO4418, AO4444, AO4476, AO4492, AO4702, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2322GN?
El AP2322GN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2322GN?
El AP2322GN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.500 A.