AP2332GN-HF

MOSFET N-Channel SOT23

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 0.027 A
RDSon 300.0000 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 0.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
tr - Rise Time 14.5 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 10 pF
|Id| - Maximum Drain Current 0.027 A
Pd - Maximum Power Dissipation 0.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 300 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2332GN-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2332GN-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2332GN-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2326GN-HF, AP2328GN-HF, AP2330GN-HF, y 9 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP2332GN-HF?

El AP2332GN-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2332GN-HF?

El AP2332GN-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.027 A.

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