AP2332GN-HF
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
0.027 A
RDSon
300.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 14.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.027 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 300 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2332GN-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2332GN-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2332GN-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2326GN-HF, AP2328GN-HF, AP2330GN-HF, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2332GN-HF?
El AP2332GN-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2332GN-HF?
El AP2332GN-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.027 A.
