AP25N10GH
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
23.000 A
RDSon
0.0800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
96.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 28 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 270 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 23 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 96 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP25N10GH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP25N10GH?
Los reemplazos compatibles para el AP25N10GH incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON7408, AP18N20GS, AP20N15AGH, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP25N10GH?
El AP25N10GH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP25N10GH?
El AP25N10GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 23.000 A.