AP2605GY
MOSFET
P-Channel
SOT26
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.0800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT26 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2605GY:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2605GY?
Los reemplazos compatibles para el AP2605GY incluyen: AP25P15GI, AP25P15GS-HF, AP2603GY-HF, AP2605GY0-HF, AP2607AGY-HF, AP2607GY-HF.
¿Que tipo de transistor es el AP2605GY?
El AP2605GY es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT26.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2605GY?
El AP2605GY tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.