AP2605GY0-HF

MOSFET P-Channel SOT26

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 4.000 A
RDSon 0.0800 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT26
tr - Rise Time 6.5 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 95 pF
|Id| - Maximum Drain Current 4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.08 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2605GY0-HF:

4435 MOSFET P-Channel AP25P15GI MOSFET P-Channel AP25P15GS-HF MOSFET P-Channel AP2603GY-HF MOSFET P-Channel AP2605GY MOSFET P-Channel AP2607AGY-HF MOSFET P-Channel AP2607GY-HF MOSFET P-Channel AP2609GY-HF MOSFET P-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2605GY0-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2605GY0-HF incluyen: 4435, AP25P15GI, AP25P15GS-HF, AP2603GY-HF, AP2605GY, AP2607AGY-HF, AP2607GY-HF, AP2609GY-HF.

¿Que tipo de transistor es el AP2605GY0-HF?

El AP2605GY0-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT26.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2605GY0-HF?

El AP2605GY0-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.

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