AP2609GYT-HF
MOSFET
P-Channel
PMPAK3X3
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
11.300 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
3.570 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK3X3 |
| tr - Rise Time | 17 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 305 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.57 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2609GYT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2609GYT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2609GYT-HF incluyen: AP2607AGY-HF, AP2607GY-HF, AP2609GY-HF, AP2611GYT-HF, AP2613GY-HF, AP2613GYT-HF, AP2615GEY-HF, AP2615GY-HF.
¿Que tipo de transistor es el AP2609GYT-HF?
El AP2609GYT-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PMPAK3X3.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2609GYT-HF?
El AP2609GYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.300 A.
