AP2611GYT-HF

MOSFET P-Channel PMPAK3X3

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 15.400 A
RDSon 0.0080 Ω
Vgs Max. 12.000 V
Potencia Max. 3.120 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PMPAK3X3
tr - Rise Time 22 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 615 pF
|Id| - Maximum Drain Current 15.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 3.12 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 12 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.008 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2611GYT-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2611GYT-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2611GYT-HF incluyen: AP2607AGY-HF, AP2607GY-HF, AP2609GY-HF, AP2609GYT-HF, AP2613GY-HF, AP2613GYT-HF, AP2615GEY-HF, AP2615GY-HF, AP2616GY-HF.

¿Que tipo de transistor es el AP2611GYT-HF?

El AP2611GYT-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PMPAK3X3.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2611GYT-HF?

El AP2611GYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.400 A.

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