AP2616GY-HF
MOSFET
P-Channel
SOT26
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
7.400 A
RDSon
0.0240 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT26 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 125 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.024 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2616GY-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2616GY-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2616GY-HF incluyen: AP2611GYT-HF, AP2613GY-HF, AP2613GYT-HF, AP2615GEY-HF, AP2615GY-HF, AP2623GY, AP2625GY.
¿Que tipo de transistor es el AP2616GY-HF?
El AP2616GY-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT26.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2616GY-HF?
El AP2616GY-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.400 A.