AP2732GK
MOSFET
N-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
8.600 A
RDSon
0.0260 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.026 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2732GK:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2732GK?
Los reemplazos compatibles para el AP2732GK incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2614GY-HF, AP2622GY-HF, AP2626GY-HF, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2732GK?
El AP2732GK es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2732GK?
El AP2732GK tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.600 A.