AP2761P-A
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
104.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 320 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2761P-A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2761P-A?
Los reemplazos compatibles para el AP2761P-A incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 60N06, AP2622GY-HF, AP2626GY-HF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2761P-A?
El AP2761P-A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2761P-A?
El AP2761P-A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.