AP2762I-H-HF

MOSFET N-Channel TO220F

Parametros Principales

Vds Max. 700.000 V
Id Max. 7.000 A
RDSon 1.4500 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 33.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220F
tr - Rise Time 32 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 100 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7 A
Pd - Maximum Power Dissipation 33 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 700 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 1.45 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2762I-H-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2762I-H-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2762I-H-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N60, AP2732GK, AP2761I-A, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP2762I-H-HF?

El AP2762I-H-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2762I-H-HF?

El AP2762I-H-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.

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