AP2763W-A
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
750.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.4500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
138.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 140 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 138 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 750 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.45 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2763W-A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2763W-A?
Los reemplazos compatibles para el AP2763W-A incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2761P-A, AP2761R-A, AP2761S-A-HF, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2763W-A?
El AP2763W-A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2763W-A?
El AP2763W-A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 750.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.