AP2R803AGMT-HF
MOSFET
N-Channel
PMPAK5X6
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
33.000 A
RDSon
0.0030 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK5X6 |
| tr - Rise Time | 32 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 700 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 33 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.003 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2R803AGMT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2R803AGMT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2R803AGMT-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, AP2764I-A, AP2765I-A-HF, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2R803AGMT-HF?
El AP2R803AGMT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2R803AGMT-HF?
El AP2R803AGMT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 33.000 A.