AP2R803GH-HF
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0028 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
104.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 790 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0028 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2R803GH-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2R803GH-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2R803GH-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2765I-A-HF, AP2864I-A-HF, AP2N7002K-HF, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2R803GH-HF?
El AP2R803GH-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2R803GH-HF?
El AP2R803GH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.