AP2RA04GMT-HF

MOSFET N-Channel PMPAK5X6

Parametros Principales

Vds Max. 40.000 V
Id Max. 130.000 A
RDSon 0.0029 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 83.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PMPAK5X6
tr - Rise Time 8 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 615 pF
|Id| - Maximum Drain Current 130 A
Pd - Maximum Power Dissipation 83.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0029 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2RA04GMT-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2RA04GMT-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2RA04GMT-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2864I-A-HF, AP2N7002K-HF, AP2R403AGMT-HF, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP2RA04GMT-HF?

El AP2RA04GMT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK5X6.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2RA04GMT-HF?

El AP2RA04GMT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 130.000 A.

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