AP2RA04GMT-HF
MOSFET
N-Channel
PMPAK5X6
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
130.000 A
RDSon
0.0029 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
83.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK5X6 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 615 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 130 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0029 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2RA04GMT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2RA04GMT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2RA04GMT-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2864I-A-HF, AP2N7002K-HF, AP2R403AGMT-HF, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2RA04GMT-HF?
El AP2RA04GMT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2RA04GMT-HF?
El AP2RA04GMT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 130.000 A.
