AP30P10GS
MOSFET
P-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.0800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
89.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 33 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 185 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP30P10GS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP30P10GS?
Los reemplazos compatibles para el AP30P10GS incluyen: AP30P10GH-HF, AP30P10GI, AP30P10GP-HF, AP3310GH-HF.
¿Que tipo de transistor es el AP30P10GS?
El AP30P10GS es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP30P10GS?
El AP30P10GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.