AP30T10GM-HF
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
4.500 A
RDSon
0.0550 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 6.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.055 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP30T10GM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP30T10GM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP30T10GM-HF incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP30T03GH-HF, AP30T10GH-HF, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP30T10GM-HF?
El AP30T10GM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP30T10GM-HF?
El AP30T10GM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.500 A.