AP3310GJ-HF
MOSFET
P-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1500 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP3310GJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP3310GJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP3310GJ-HF incluyen: AP3310GH-HF, AP3403GH, AP3403GJ, AP3405GH-HF, AP3801GM.
¿Que tipo de transistor es el AP3310GJ-HF?
El AP3310GJ-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP3310GJ-HF?
El AP3310GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.