AP3402GEH
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
35.000 V
Id Max.
38.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
34.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 78 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 38 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 34.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 35 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP3402GEH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP3402GEH?
Los reemplazos compatibles para el AP3402GEH incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8205A, AP30T10GH-HF, AP30T10GI-HF, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP3402GEH?
El AP3402GEH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP3402GEH?
El AP3402GEH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 35.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 38.000 A.