AP3990W

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 10.000 A
RDSon 0.6000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 174.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 28 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 225 pF
|Id| - Maximum Drain Current 10 A
Pd - Maximum Power Dissipation 174 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.6 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP3990W:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP3990W?

Los reemplazos compatibles para el AP3990W incluyen: 13N50, 2SK711, AP3988P-HF, AP3989I, AP3989P, AP3989R-HF, AP3990I-HF, AP3990P, AP3990R-HF, AP3990S-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP3990W?

El AP3990W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del AP3990W?

El AP3990W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.

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