AP3R303GMT-HF
MOSFET
N-Channel
PMPAK5X6
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
105.000 A
RDSon
0.0033 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
56.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK5X6 |
| tr - Rise Time | 5.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 440 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 105 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 56.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0033 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP3R303GMT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP3R303GMT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP3R303GMT-HF incluyen: 2SK711, AO3401, AP3989I, AP3989P, AP3989R-HF, AP3990I-HF, AP3990P, AP3990R-HF, AP3990S-HF, AP3990W, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP3R303GMT-HF?
El AP3R303GMT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del AP3R303GMT-HF?
El AP3R303GMT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 105.000 A.