AP4002H

MOSFET N-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 2.000 A
RDSon 5.0000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 20.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 12 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 170 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 20 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4002H:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4002H?

Los reemplazos compatibles para el AP4002H incluyen: 2N3819, 2SK711, AP3990P, AP3990R-HF, AP3990S-HF, AP3990W, AP3R303GMT-HF, AP3R604AGH-HF, AP3R604GH-HF, AP3R604GMT-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4002H?

El AP4002H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4002H?

El AP4002H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.

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