AP4002S
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 170 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4002S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4002S?
Los reemplazos compatibles para el AP4002S incluyen: 2N3819, 2SK711, AP3R303GMT-HF, AP3R604AGH-HF, AP3R604GH-HF, AP3R604GMT-HF, AP4002H, AP4002I-HF, AP4002J, AP4002P, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4002S?
El AP4002S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4002S?
El AP4002S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.