AP40P03GJ
MOSFET
P-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0280 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
31.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 56 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 31.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.028 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP40P03GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP40P03GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP40P03GJ incluyen: AP40P03GH, AP40P03GI-HF, AP40P03GP.
¿Que tipo de transistor es el AP40P03GJ?
El AP40P03GJ es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP40P03GJ?
El AP40P03GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.