AP40T03GS
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
28.000 A
RDSon
0.0250 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
31.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 62 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 145 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 31.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.025 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP40T03GS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP40T03GS?
Los reemplazos compatibles para el AP40T03GS incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8N60, AP40T03GH, AP40T03GI, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP40T03GS?
El AP40T03GS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP40T03GS?
El AP40T03GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 28.000 A.