AP40T10GH
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
39.000 A
RDSon
0.0350 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 64 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 270 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 39 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.035 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP40T10GH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP40T10GH?
Los reemplazos compatibles para el AP40T10GH incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP2761S-A, AP2R803GJB, AP3987P, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP40T10GH?
El AP40T10GH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP40T10GH?
El AP40T10GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 39.000 A.