AP4500GM
MOSFET
NP-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 10(17) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6(5) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03(0.05) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4500GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4500GM?
Los reemplazos compatibles para el AP4500GM incluyen: AP4500GM-HF, AP4500GYT-HF, AP4501AGEM-HF, AP4501AGEY-HF, AP4501AGM-HF, AP4501CGM-HF, AP4501GD, AP4501GH-HF.
¿Que tipo de transistor es el AP4500GM?
El AP4500GM es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4500GM?
El AP4500GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.