AP4500GYT-HF
MOSFET
NP-Channel
PMPAK3X3
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
8.900 A
RDSon
0.0210 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK3X3 |
| tr - Rise Time | 10(15) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 140(125) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.9(5.3) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021(0.06) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4500GYT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4500GYT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP4500GYT-HF incluyen: AP4500GM, AP4500GM-HF, AP4501AGEM-HF, AP4501AGEY-HF, AP4501AGM-HF, AP4501CGM-HF, AP4501GD, AP4501GH-HF, AP4501GM, AP4501GSD.
¿Que tipo de transistor es el AP4500GYT-HF?
El AP4500GYT-HF es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado PMPAK3X3.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4500GYT-HF?
El AP4500GYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.900 A.