AP4506GEH
MOSFET
NP-Channel
TO252-4L
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.0240 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252-4L |
| tr - Rise Time | 18(16) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100(220) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9(8) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.024(0.036) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4506GEH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4506GEH?
Los reemplazos compatibles para el AP4506GEH incluyen: AP4501GSD, AP4502AGM-HF, AP4502GM, AP4503AGEM-HF, AP4503AGM-HF, AP4503BGM-HF, AP4503BGO-HF, AP4503GM, AP4506GEH-HF, AP4506GEM-HF, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4506GEH?
El AP4506GEH es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado TO252-4L.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4506GEH?
El AP4506GEH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.