AP4506GEM-HF
MOSFET
NP-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
6.400 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 5.6 nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100(220) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.4(6) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03(0.04) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4506GEM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4506GEM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP4506GEM-HF incluyen: AP4502GM, AP4503AGEM-HF, AP4503AGM-HF, AP4503BGM-HF, AP4503BGO-HF, AP4503GM, AP4506GEH, AP4506GEH-HF, AP4509AGH-HF, AP4509AGM-HF, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4506GEM-HF?
El AP4506GEM-HF es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4506GEM-HF?
El AP4506GEM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.400 A.