AP4519GED
MOSFET
NP-Channel
PDIP8
Parametros Principales
Vds Max.
35.000 V
Id Max.
6.200 A
RDSon
0.0320 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PDIP8 |
| tr - Rise Time | 6(5) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90(115) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.2(5) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 35 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.032(0.064) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4519GED:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4519GED?
Los reemplazos compatibles para el AP4519GED incluyen: 2N7002, 2SK711, 2SK538, 2SK539, 2SK543, 2SK544, 2SK545, 2SK546, 2SK549, 2SK55, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4519GED?
El AP4519GED es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado PDIP8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4519GED?
El AP4519GED tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 35.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.200 A.