AP4521GEH
MOSFET
NP-Channel
TO252-4L
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
11.700 A
RDSon
0.0360 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
9.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252-4L |
| tr - Rise Time | 19.3(17) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90(80) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11.7(8.7) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 9 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.036(0.072) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4521GEH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4521GEH?
Los reemplazos compatibles para el AP4521GEH incluyen: 2SK711, 2SK539, 2SK543, 2SK544, 2SK545, 2SK546, 2SK549, 2SK55, AP4519GED, AP4521GEM, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4521GEH?
El AP4521GEH es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado TO252-4L.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4521GEH?
El AP4521GEH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.700 A.