AP4521GEM
MOSFET
NP-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
5.800 A
RDSon
0.0360 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 7(8) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90(80) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.8(4.2) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.036(0.072) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4521GEM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4521GEM?
Los reemplazos compatibles para el AP4521GEM incluyen: 2SK711, 2SK543, 2SK544, 2SK545, 2SK546, 2SK549, 2SK55, AP4519GED, AP4521GEH, AP4523GD, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4521GEM?
El AP4521GEM es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4521GEM?
El AP4521GEM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.800 A.