AP4527GN3
MOSFET
NP-Channel
DFN3*3
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
4.700 A
RDSon
0.0350 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN3*3 |
| tr - Rise Time | 10(8) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 140(170) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.7(3.3) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.035(0.065) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4527GN3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4527GN3?
Los reemplazos compatibles para el AP4527GN3 incluyen: 2SK711, AP4523GD, AP4523GH, AP4523GM, AP4525GEH, AP4525GEM-HF, AP4526AGH-HF, AP4526GH, AP4527GH, AP4528GH, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4527GN3?
El AP4527GN3 es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado DFN3*3.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4527GN3?
El AP4527GN3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.700 A.