AP4533GEM-HF
MOSFET
NP-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
8.400 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 6(9.5) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150(180) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.4(6) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018(0.036) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4533GEM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4533GEM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP4533GEM-HF incluyen: 2SK711, AP4528GH, AP4528GM, AP4529GH, AP4530GH, AP4530GM, AP4531GH, AP4531GM, AP4532GM-HF, AP4537GYT-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4533GEM-HF?
El AP4533GEM-HF es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4533GEM-HF?
El AP4533GEM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.400 A.