AP4563AGH-HF
MOSFET
NP-Channel
TO252-4L
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
9.600 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.130 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252-4L |
| tr - Rise Time | 18(17.5) nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 105(155) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.6(7.3) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.13 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02(0.036) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4563AGH-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4563AGH-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP4563AGH-HF incluyen: 2SK711, AO3401, AP4531GM, AP4532GM-HF, AP4533GEM-HF, AP4537GYT-HF, AP4539GM-HF, AP4543GEH-HF, AP4543GEM-HF, AP4543GMT-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4563AGH-HF?
El AP4563AGH-HF es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado TO252-4L.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4563AGH-HF?
El AP4563AGH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.600 A.