AP4569GD

MOSFET NP-Channel PDIP8

Parametros Principales

Vds Max. 40.000 V
Id Max. 4.800 A
RDSon 0.0520 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PDIP8
tr - Rise Time 5 nS
Type of Control Channel NP-Channel
Coss - Output Capacitance 70(80) pF
|Id| - Maximum Drain Current 4.8(3.8) A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.052(0.09) Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4569GD:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4569GD?

Los reemplazos compatibles para el AP4569GD incluyen: 2SK711, AP4537GYT-HF, AP4539GM-HF, AP4543GEH-HF, AP4543GEM-HF, AP4543GMT-HF, AP4563AGH-HF, AP4563GH-HF, AP4563GM, 2SK56, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4569GD?

El AP4569GD es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado PDIP8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4569GD?

El AP4569GD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.800 A.

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