AP4800CGM-HF

MOSFET N-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 10.400 A
RDSon 0.0140 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 7 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 120 pF
|Id| - Maximum Drain Current 10.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.014 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4800CGM-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4800CGM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP4800CGM-HF incluyen: 18N50, 2SK711, AP4569GM, AP4575GH-HF, AP4575GM-HF, AP4578GD, AP4578GH-HF, AP4578GM-HF, AP4800AGM-HF, AP4800BGM-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4800CGM-HF?

El AP4800CGM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4800CGM-HF?

El AP4800CGM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.400 A.

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