AP4800GM
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 10.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 245 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4800GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4800GM?
Los reemplazos compatibles para el AP4800GM incluyen: 2SK711, AP4575GM-HF, AP4578GD, AP4578GH-HF, AP4578GM-HF, AP4800AGM-HF, AP4800BGM-HF, AP4800CGM-HF, AP4800DGM-HF, AP4800GYT-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4800GM?
El AP4800GM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4800GM?
El AP4800GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.