AP4800GYT-HF

MOSFET N-Channel PMPAK3X3

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 11.500 A
RDSon 0.0180 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 3.570 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PMPAK3X3
tr - Rise Time 6 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 150 pF
|Id| - Maximum Drain Current 11.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation 3.57 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.018 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4800GYT-HF:

2SK711 MOSFET N-Channel AP4578GD MOSFET NP-Channel AP4578GH-HF MOSFET NP-Channel AP4578GM-HF MOSFET NP-Channel AP4800AGM-HF MOSFET N-Channel AP4800BGM-HF MOSFET N-Channel AP4800CGM-HF MOSFET N-Channel AP4800DGM-HF MOSFET N-Channel AP4800GM MOSFET N-Channel AP4810GSM MOSFET N-Channel AP4813GSM-HF MOSFET N-Channel AP4813GYT-HF MOSFET N-Channel AP4820AGYT-HF MOSFET N-Channel AP4820GYT-HF MOSFET N-Channel AP4835GM MOSFET P-Channel AP4835GMT-HF MOSFET P-Channel 2SK1940-01 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4800GYT-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP4800GYT-HF incluyen: 2SK711, AP4578GD, AP4578GH-HF, AP4578GM-HF, AP4800AGM-HF, AP4800BGM-HF, AP4800CGM-HF, AP4800DGM-HF, AP4800GM, AP4810GSM, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4800GYT-HF?

El AP4800GYT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK3X3.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4800GYT-HF?

El AP4800GYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.500 A.

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