AP4810GSM

MOSFET N-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 11.000 A
RDSon 0.0135 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 6 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 200 pF
|Id| - Maximum Drain Current 11 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0135 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4810GSM:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP4810GSM?

Los reemplazos compatibles para el AP4810GSM incluyen: 2SK711, AP4578GH-HF, AP4578GM-HF, AP4800AGM-HF, AP4800BGM-HF, AP4800CGM-HF, AP4800DGM-HF, AP4800GM, AP4800GYT-HF, AP4813GSM-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP4810GSM?

El AP4810GSM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP4810GSM?

El AP4810GSM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.

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