AP4835GM
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
9.200 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 6.6 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 195 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4835GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4835GM?
Los reemplazos compatibles para el AP4835GM incluyen: 2SK711, AO3407, AP4800DGM-HF, AP4800GM, AP4800GYT-HF, AP4810GSM, AP4813GSM-HF, AP4813GYT-HF, AP4820AGYT-HF, AP4820GYT-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4835GM?
El AP4835GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4835GM?
El AP4835GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.200 A.