AP4880BGM-HF
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
13.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4880BGM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4880BGM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP4880BGM-HF incluyen: 2SK711, 2SK2645-01MR, 2SK2654-01, 2SK2761-01MR, 2SK2765-01, 2SK3496-01MR, 2SK3683-01MR, 2SK4075, 2SK659, AP4880GM, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4880BGM-HF?
El AP4880BGM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4880BGM-HF?
El AP4880BGM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 13.000 A.