AP4951GM
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
3.400 A
RDSon
0.0960 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 125 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.096 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4951GM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4951GM?
Los reemplazos compatibles para el AP4951GM incluyen: 2SK711, 2SK4075, 2SK659, AP4880BGM-HF, AP4880GM, AP4920GM-HF, AP4924GM, AP4933GM-HF, AP4936GM, AP4951GM-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP4951GM?
El AP4951GM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4951GM?
El AP4951GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.400 A.