AP4953M
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
7.300 A
RDSon
0.0350 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 215 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.035 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP4953M:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP4953M?
Los reemplazos compatibles para el AP4953M incluyen: AP2301N, AP2305GN, AP2309AGN, AP9435GG, AP9435GK, AP9435K, AP9563M, AP9579GM.
¿Que tipo de transistor es el AP4953M?
El AP4953M es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP4953M?
El AP4953M tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.300 A.